富鼎
公司在公開資訊觀測站登記的產業類別，多半是上市時登記的，公司轉型後不一定會改。本站另外依年報裡的主要業務來分類。
觀察清單只存在你的裝置，不代表推薦。
富鼎低壓MOSFET占營收49.07%
在做什麼？
主攻功率MOSFET
低中高壓都有
也布局SiC與GaN
營收從哪來
2025 年度｜
百分比一定是「占什麼的比例」。例如「占營業收入淨額 58%」和「占某張表合計 58%」意思不同，所以本站每個百分比都寫出分母。
賣到哪裡
2025 年度｜
百分比一定是「占什麼的比例」。例如「占營業收入淨額 58%」和「占某張表合計 58%」意思不同，所以本站每個百分比都寫出分母。
賺多少？
今年營收比去年多（或少）幾 %。本站用公開資訊觀測站兩個年度的綜合損益表自行計算。
（營業收入－營業成本）÷ 營業收入。賣出 100 元的產品，扣掉直接成本後還剩幾 % 。數字越高，代表本業越有賺頭。
公開資訊觀測站「綜合損益表彙總」，
把母公司和它控制的子公司當成同一家公司來算的財報；「個體」報表則只算母公司自己。兩者的數字可能差很多。
跟誰做生意？
上市櫃公司年報裡明確點名的往來對象（逐筆查核）。
公司在年報裡自己的說法（例如自稱領先、預期成長）。本站照實引用並標示出處，但沒有獨立驗證，請把它當成公司的觀點。
預計115年DrMOS進入量產
研發費用137,508仟元
年報重點全文（23 條，逐句查核）
業務範圍
公司年報載明，公司及子公司主要從事功率半導體Power MOSFET研究、開發、生產、測試及銷售。（第 67 頁）
產品與應用
公司年報列示目前商品項目包括低壓、中壓及高壓金氧半功率場效電晶體、絕緣閘雙載子功率場效電晶體（IGBT）以及第三代半導體碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）。（第 67 頁）
公司年報載明產品應用領域包括伺服器、汽車、消費電子、工業自動化等相關領域。（第 67 頁）
營收結構
114年度低壓金氧半功率場效電晶體營業淨額為1,523,261仟元，營業比重49.07%。（第 67 頁）
114年度中壓金氧半功率場效電晶體營業淨額為994,349仟元，營業比重32.03%。（第 67 頁）
114年度高壓金氧半功率場效電晶體營業淨額為498,641仟元，營業比重16.06%。（第 67 頁）
114年度其他產品營業淨額為88,062仟元，營業比重2.84%。（第 67 頁）
銷售地區
114年度內銷台灣銷售金額為1,166,518仟元，占銷售地區表合計37.58%。（第 72 頁）
114年度外銷亞洲銷售金額為1,932,356仟元，占銷售地區表合計62.25%。（第 72 頁）
主要客戶
某客戶（代號T110089）114年度銷貨金額為331,514仟元，占全年度銷貨淨額10.68%。（第 77 頁）
主要供應商
某供應商（代號FN012）114年度進貨金額為617,220仟元，占全年度進貨淨額28.94%。（第 77 頁）
某供應商（代號PN011）114年度進貨金額為411,819仟元，占全年度進貨淨額19.31%。（第 77 頁）
原料
公司年報列示主要原料與國內外主要供應廠商：磊晶矽晶圓為嘉晶電子，晶圓代工為力積電、華虹，封裝材料為GEM、杰群。（第 77 頁）
市場地位
公司於年報自述，2025年全球功率元件（Power Semiconductor）市場規模約落在530億至560億美元之間。（第 72 頁）
研發
114年度投入之研發費用為137,508仟元。（第 70 頁）
公司於年報自述，114年度開發成功之技術與產品包括第三代中低壓Power MOSFET。（第 70 頁）
人力
114年度員工人數合計為137人（員工人數表未載明為母公司或合併範圍）。（第 78 頁）
展望
公司年報載明，與類比電源IC設計公司合作開發的DrMOS產品將於115年進入量產。（第 67 頁）
公司年報載明，已著手進行高壓氮化鎵GaN的開發，預計115年導入產品線。（第 67 頁）
公司年報載明，650V IGBT完成開發驗證並進行可靠性驗證中，預計115年上半年推出市場。（第 71 頁）
公司年報載明長期業務發展計畫之行銷策略為致力於產品結構之高值化轉型，重點佈局AI運算伺服器、高效能運算（HPC）及車用電子等高門檻市場。（第 72 頁）
外銷比重
公司年報載明，公司及子公司114年度外銷比例為62.42%，主要係以中國大陸及泰國為主。（第 72 頁）
總部
公司總公司地址為新竹縣竹北市台元一街5號12樓。（第 2 頁）
資料：富鼎先進電子股份有限公司 2025 年度年報（2025_8261_20260527F04.pdf）。看完整研究頁（含每句的查核紀錄與參考資料）→#半導體#MOSFET#富鼎