嘉晶

業務範圍

年報載明公司及子公司主要業務為矽磊晶片、埋藏層磊晶片、多層矽磊晶片、矽磊晶於Silicon on Insulator上(SOI)、GaN磊晶片、SiC磊晶片等產品之製造。（第 57 頁）

產品與應用

年報載明公司目前之商品項目為矽磊晶、碳化矽磊晶和氮化鎵磊晶之生產及代工。（第 57 頁）

年報載明公司主要產品應用於高功率場效電晶體(Power MOSFET)、二極體(Diodes)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、電源管理IC(PMIC)等功率元件之生產。（第 63 頁）

營收結構

114年度磊晶晶片營業收入淨額為新台幣3,891,698仟元，比重為100.00%（年報營業比重表僅列磊晶晶片一項）。（第 57 頁）

銷售地區

114年度內銷台灣金額為新台幣2,283,717仟元，占合併營收淨額合計的58.68%。（第 61 頁）

114年度外銷日本金額為新台幣802,156仟元，占合併營收淨額合計的20.61%。（第 61 頁）

114年度外銷中國大陸金額為新台幣43,393仟元，占合併營收淨額合計的1.12%。（第 61 頁）

主要客戶

某客戶（A公司）114年度銷貨金額為新台幣756,948仟元，占全年度銷貨淨額19.45%，與發行人之關係為「對本集團具重大影響力之個體」。（第 65 頁）

某客戶（B公司）114年度銷貨金額為新台幣418,433仟元，占全年度銷貨淨額10.75%，與發行人之關係為「無」。（第 65 頁）

主要供應商

某供應商（B公司）114年度進貨金額為新台幣391,233仟元，占全年度進貨淨額25.21%，與發行人之關係為「無」。（第 64 頁）

某供應商（C公司）114年度進貨金額為新台幣234,929仟元，占全年度進貨淨額15.14%，與發行人之關係為「無」。（第 64 頁）

某供應商（A公司）114年度進貨金額為新台幣225,468仟元，占全年度進貨淨額14.53%，與發行人之關係為「無」。（第 64 頁）

原料

年報載明公司主要原物料皆有兩家以上合格供應商。（第 64 頁）

產能與產量

公司於年報自述目前製程技術已發展至6、8吋磊晶矽晶圓及6、8吋埋藏層磊晶。（第 60 頁）

市場地位

公司於年報自述為全球重要的矽磊晶材料供應廠商。（第 61 頁）

研發

114年度研發費用為新台幣56,779仟元，占營業淨額比率為1.46%。（第 60 頁）

年報列示最近年度開發成功之技術或產品包括第二代High Grade SiC磊晶片、射頻氮化鎵(GaN-on-Silicon)磊晶片、第二代650V GaN-on-Silicon磊晶片、減壓製程(RP)高電阻矽磊晶片等。（第 60 頁）

年報載明公司目前已取得中華民國專利7項。（第 60 頁）

年報載明公司目前已取得美國專利2項。（第 60 頁）

人力

114年度員工人數合計為706人（員工人數表未載明為母公司或合併範圍）。（第 65 頁）

展望

年報「計畫開發之新商品」列示包括八吋中低壓GaN-on-Silicon磊晶片、八吋SiC磊晶片等。（第 57 頁）

年報短期業務計畫載明，計畫優化產品組合提升毛利率、整體比重增加大尺寸晶片產品，並減少低毛利率的小尺寸晶片產品。（第 61 頁）

年報長期業務發展計畫載明，嘉晶將持續投入GaN-on-Silicon與SiC磊晶技術開發與精進。（第 61 頁）